分立半导体产品 单 FET，MOSFET-- SI2333CDS-T1-GE3TR-ND

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详细描述
表面贴装型 P 通道 12 V 7.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
描述
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.1A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）
35 毫欧 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）
1V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）
25 nC @ 4.5 V
Vgs（zui大值）
?8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）
1225 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散（zui大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
工作温度
-55?C ~ 150?C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

深圳市瀚珑科技有限公司，提供全品类电子元器件的交易服务平台。




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