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分立半导体产品 单 FET--MOSFETIRFB4332PBF

发布时间: 2022/12/20 9:27:52 | 137 次阅读

分立半导体产品 单 FET--MOSFETIRFB4332PBF

分立半导体产品 单 FET--MOSFETIRFB4332PBF

分立半导体产品 单 FET--MOSFETIRFB4332PBF

类型
描述
选择 
类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A(Tc)
驱动电压(zui大 Rds On,zui小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(zui大值)
33 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(zui大值)
5V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(zui大值)
150 nC @ 10 V
Vgs(zui大值)
?30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(zui大值)
5860 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(zui大值)
390W(Tc)
工作温度
-40?C ~ 175?C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFB4332
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